metal gate半導體
...極(High-kMetalGate,HKMG)的後閘極(Gate-last)技術為主。相較於前閘極(Gate-first)技術,後閘極技術具備較低的漏電流以及能提供更佳的晶片效能等優勢。,2007年12月24日—high-k/metalgate技術預計可在2009-2010年達到32nm世代的量產化,如圖一所示,藉此技...
栅极材料的革命(Gate Electrode) (转)
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2019年6月15日—上个世纪70年代,MOSFET(MOS场效应晶体管)刚出来的时候结构非常简单,我十年前有幸做过2.25um的MetalGate,工艺流程就是N/PWELL、N+/P+_S/D、GOX、CONT ...
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